[发明专利]一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法在审
| 申请号： | 201610659049.7 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106298414A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 宋清海;李建凯;张楠;张海涛;肖淑敏 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/266 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡玉 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，所述钙钛矿为单晶钙钛矿微结构，所述单晶钙钛矿微结构含有第一卤素离子；对所述单晶钙钛矿微结构，采用第二卤素用离子注入方法进行离子注入，将第一卤素离子进行部分取代；其中，所述第二卤素不同于第一卤素。采用本发明的技术方案，制备简单，采用离子注入的方法可以选择性地调谐光致发光和调谐一个卤化铅钙钛矿器件上的不同位置的激射行为，实验的操作以及验证比较容易，方法简单、可行，应用前景广阔，为微纳光电领域和光子器件领域的发展提供新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 技术 控制 合成 后钙钛矿 光学 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入技术控制合成后钙钛矿光学特性的方法，其特征在于：所述钙钛矿为单晶钙钛矿微结构，所述单晶钙钛矿微结构含有第一卤素离子；对所述单晶钙钛矿微结构，采用第二卤素用离子注入方法进行离子注入，将第一卤素离子进行部分取代；其中，所述第二卤素不同于第一卤素；所述第一卤素为溴，所述第二卤素为氯或/和碘。
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