[发明专利]基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料

摘要

基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料，属于电磁波全矢量传输调控器件技术领域，本发明包括衬底介质基片和设置于衬底介质基片表面的金属结构层，所述金属结构层上周期性排列有M*N个结构相同的谐振单元，M和N为自然数且M≥2，N≥2，其特征在于，每个谐振单元由两个开口和金属臂长度均不同的谐振器结合构成，谐振器依据下述条件确定：在单个谐振器仿真状态下，第一个谐振器具有三个谐振峰，第二个谐振器具有两个谐振峰；在两个谐振器结合的状态下，谐振单元具有四个谐振峰；所述谐振峰为透过率低于‑15dB的信号峰。本发明利用微纳制造技术加工，相对于利用离子刻蚀、电光晶体等结构实现太赫兹反射式极化器，本发明结构简单、体积小、加工成本低、可控精度高。

主权项

1.基于双ELC非对称耦合结构的四谐振太赫兹波段超材料，包括衬底介质基片(3)和设置于衬底介质基片(3)表面的金属结构层(2)，所述金属结构层上周期性排列有M*N个结构相同的谐振单元，M和N为自然数且M≥2，N≥2，其特征在于，每个谐振单元由两个开口和金属臂长度均不同的谐振器结合构成，谐振器依据下述条件确定：在单个谐振器仿真状态下，第一个谐振器具有三个谐振峰，第二个谐振器具有两个谐振峰；在两个谐振器结合的状态下，谐振单元具有四个谐振峰；所述谐振峰为透过率低于‑15dB的信号峰；谐振单元为左右对称，第一谐振器为左右轴对称结构，第二谐振器为左右轴对称结构，且二者的左右对称轴重合于谐振单元对称轴。