[发明专利]一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件

摘要

本发明属于电子技术领域，提供一种一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串联；所述主器件在基本双向SCR结构中的第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区C内分别设置一个第一种导电类型重掺杂区，将基本双向SCR中仅起隔离作用的封闭的第一种导电类型重掺杂埋层与两侧外部触发二极管串相连，构成了“埋层+二极管串”的低电压触发通道，从而降低双向SCR器件触发电压；同时，能够通过调节触发器件数量实现触发电压可调；本发明还有效提高了器件的开启速度。

主权项

1.一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，包括1个主器件、主器件左侧的n个触发器件和主器件右侧的m个触发器件构成，其中，n≥1、m≥1；所述触发器件为二极管器件，包括第二种导电类型硅衬底，硅衬底上形成第一种导电类型阱区，阱区内设有第一种导电类型重掺杂区和第二种导电类型重掺杂区；相邻近触发器件之间串联；所述主器件为对称结构，包括第二种导电类型硅衬底；所述硅衬底上形成第一种导电类型重掺杂埋层；所述埋层上形成从左向右依次邻接的第一种导电类型阱区A、第二种导电类型阱区B、第一种导电类型阱区C、第二种导电类型阱区D和第一种导电类型阱区E；所述第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区E内均设有第一种导电类型重掺杂区，且分别与最近邻的触发器件内第二种导电类型重掺杂区相连；所述第二种导电类型阱区B内设有与PAD1相连的第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，以及与第n个触发器件内第一种导电类型重掺杂区相连的另一个第二种导电类型重掺杂区；所述第二种导电类型阱区D内设有与PAD2相连的第一种导电类型重掺杂区和第二种导电类型重掺杂区，以及与第m个触发器件内第一种导电类型重掺杂区相连的另一个第二种导电类型重掺杂区。