[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610659617.3 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106683985A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;苏安治;陈威宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L23/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有对准掩模的封装件及其形成方法。第二工件附接至第一工件。第一工件具有对准掩模。在邻近第一工件的位置处沉积底部填充物。底部填充物衬底的位置至少部分地基于对准掩模。也固化底部填充物。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：将第一工件附接至第二工件，所述第一工件具有对准掩模；在邻近所述第一工件的位置处沉积底部填充物，其中，所述底部填充物沉积的所述位置至少部分地基于所述对准掩模；以及固化所述底部填充物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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