[发明专利]一种基于粗化外延片的LED芯片的电极色差改善方法在审
| 申请号： | 201610659863.9 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106206874A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 肖君岩 | 申请（专利权）人： | 泉州市三星消防设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 巩固 |
| 地址： | 362300 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于粗化外延片的LED芯片的电极色差改善方法，将供后续制备电极的让位区域的GaN外延片表面蚀刻至平整，使其表面粗糙度相同，在制备电极后无色差，完全消除色差异常，节省了由该色差异常产生的成本；且后续制备透明导电层与电极，该区域平整连接，电流阻力小、扩散快，光反射概率大，LED芯片的光电性也得到一定程度上的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 化外 led 芯片 电极 色差 改善 方法 | ||
【主权项】：
一种基于粗化外延片的LED芯片的电极色差改善方法，其特征在于：包括如下步骤：S1，提供一粗化GaN外延片，该GaN外延片包括：蓝宝石衬底，依次层叠设置在该蓝宝石衬底上的N型层、发光层及粗化P型层；S2，在部分粗化P型层表面蚀刻至裸露出N型层；S3，在粗化P型层与裸露出的N型层的表面制备金属保护层，并分别在粗化P型层与N型层上裸露出供后续制备电极的让位区域；S4，置于碱性蚀刻液中进行蚀刻，将S3中裸露在金属保护层外的让位区域的GaN表面蚀刻至平整；S5，去除金属保护层；S6，制备透明导电层及P、N电极，且P、N电极分别对应设置在让位区域的位置上。
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