[发明专利]含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构在审
| 申请号： | 201610660267.2 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106099643A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 于春满;朱海军;张兴 | 申请（专利权）人： | 成都斯科泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4um量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 空穴 阻挡 锑化镓基 量子 激光器 结构 | ||
【主权项】：
一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb缓冲层，该N型GaSb缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb覆盖层，该N型AlGaAsSb覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下波导层，该AlGaAsSb下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该AlGaAsSb下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该InPSb空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该InGaAsSb量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该AlGaAsSb上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该AlGaAsSb上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该P型AlGaAsSb覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆接触层，该P型GaSb欧姆接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。
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