[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括提供衬底；在衬底上形成伪栅结构；形成介质层；去除部分厚度的伪栅极形成第一开口；去除部分厚度的栅极侧墙形成第二开口；形成第三开口；向第三开口内填充栅极材料，以形成栅电极。由于第二开口通过去除垂直第一开口侧墙方向上部分厚度的第一栅极侧墙而形成，第三开口通过去除剩余的第一伪栅极而形成，所以所形成的第三开口远离衬底一侧的尺寸大于第三开口靠近衬底一侧的尺寸，所以第三开口的深宽比较小，有利于降低向第三开口内填充栅极材料的工艺难度，有利于提高所形成半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于所述衬底上的栅介质层、位于所述栅介质层上的伪栅极以及位于所述栅介质层和所述伪栅极侧壁的栅极侧墙；在所述伪栅结构之间的衬底上形成介质层；去除部分厚度的所述伪栅极，在介质层中形成第一开口，所述第一开口由剩余伪栅极和栅极侧墙围成；沿垂直于所述第一开口侧壁的方向去除部分厚度的所述栅极侧墙，形成第二开口；去除所述第二开口底部剩余的所述伪栅极露出所述栅介质层，形成第三开口；向所述第三开口内填充栅极材料，以形成栅电极。