[发明专利]具有多层III-V族异质结构的半导体结构有效
申请号: | 201610663051.1 | 申请日: | 2016-08-12 |
公开(公告)号: | CN106449409B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | S·本特利;R·加拉塔格 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 本发明涉及具有多层III‑V族异质结构的半导体结构,其全III‑V族半导体或硅基晶体管的源极/漏极包括与沟道晶格匹配的底部阻挡层、宽的能带隙III‑V族材料的下层以及相对窄的能带隙III‑V族材料的顶层,在下层及顶层之间逐渐从宽的能带隙材料转变到窄的能带隙材料的成分渐变层。 | ||
搜索关键词: | 具有 多层 iii 族异质 结构 半导体 | ||
【主权项】:
1.一种制造晶体管的方法,该方法包括:提供起始半导体结构,该起始结构包括半导体衬底、在该半导体衬底上方包括源极区、漏极区以及在其间的沟道区的主动区,以及在该沟道区上方的栅极结构;在各该源极区及漏极区中,形成第一化合物半导体材料的底部阻挡层,该底部阻挡层的一部分设置在该沟道区的一侧上;在该底部阻挡层上方形成第二化合物半导体材料的籽晶层,该籽晶层具有第一能带隙;在该籽晶层上方形成第三化合物半导体材料的顶层,该顶层具有比该第一能带隙窄的第二能带隙,其中,各化合物半导体材料包括来自元素周期表中第III及V族各者的至少一半导体材料;以及在该籽晶层及该顶层之间形成该第二及第三化合物半导体材料的成分渐变层,该成分渐变层逐渐从在其底部的该第二化合物半导体材料转变成在其顶部的该第三化合物半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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