[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开提供半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，在基底上形成虚设栅极结构，在虚设栅极结构上形成第一绝缘层，移除虚设栅极结构以在第一绝缘层内形成栅极空间，在栅极空间内形成第一导电层以形成缩小的栅极空间，将与第一导电层不同材料制成的第二导电层填入缩小的栅极空间，将填入的第一导电层和第二导电层凹陷以形成第一栅极凹陷，在第一栅极凹陷内的第一导电层和第二导电层上形成第三导电层，在将填入的第一导电层和第二导电层凹陷之后，第二导电层自第一导电层突出。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：在一基底上形成一虚设栅极结构；在该虚设栅极结构上形成一第一绝缘层；移除该虚设栅极结构以在该第一绝缘层内形成一栅极空间；在该栅极空间内形成一第一导电层以形成一缩小的栅极空间；将与该第一导电层不同材料制成的一第二导电层填入该缩小的栅极空间；将填入的该第一导电层和该第二导电层凹陷以形成一第一栅极凹陷；以及在该第一栅极凹陷内的该第一导电层和该第二导电层上形成一第三导电层，其中在将填入的该第一导电层和该第二导电层凹陷之后，该第二导电层自该第一导电层突出。