[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及其制备方法

摘要

本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，利用所述鳍式场效应晶体管的制备方法制备FinFET器件时，通过先形成硅鳍部和隔离部，然后原位刻蚀硅鳍部，以为硅锗鳍和锗鳍的形成预留空间；最后通过外延生长依次形成硅锗鳍和锗鳍。由于所述硅锗鳍在所述硅衬底与所述锗鳍之间，起到了应变缓冲层的作用，减少了锗与硅之间的晶格失配程度，从而为锗鳍的形成建立前提条件，避免直接将锗材料填入所述隔离部之间的小尺寸缝隙中而出现锗无法将缝隙填满而使得锗鳍存在形态缺陷，进而使得FinFET器件出现可靠性下降的情况出现。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，所述硅衬底表面具有多个分立的硅鳍部；在相邻的所述硅鳍部之间形成隔离部，所述隔离部高度与所述硅鳍部的高度相同；利用刻蚀法去除所述硅鳍部；在所述隔离部之间的缝隙中外延生长锗化硅，形成硅锗鳍，并在外延生长过程中原位刻蚀所述硅锗鳍，使所述硅锗鳍的高度小于所述隔离部的高度；在所述硅锗鳍表面外延生长锗，形成锗鳍，所述锗鳍与所述隔离部平齐，所述锗鳍与所述硅锗鳍称之为鳍部；减薄所述隔离部，使所述锗鳍暴露出来；在所述隔离部背离所述硅衬底一侧表面形成横跨至少一个所述锗鳍的假栅结构，所述假栅结构覆盖所述锗鳍的部分顶部表面和侧壁表面，位于所述假栅结构朝向所述硅衬底一侧的锗鳍为沟道区；在所述假栅结构两侧形成侧墙，所述侧墙覆盖所述假栅结构的侧面；在所述鳍部内部、所述沟道区两侧形成源区和漏区；形成覆盖所述鳍部、隔离部侧面和顶面以及所述侧墙侧面的层间介质层；采用后栅工艺去除所述假栅结构，形成栅极结构。