[发明专利]一种Cu2Se光电材料的制备和用途有效
| 申请号： | 201610663955.4 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106298994B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 薛绍林;冯涵阁;侯鑫;谢培;刘志远;高志勇;王悠雅;李羚玮 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹,王婧 |
| 地址： | 201620 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种Cu2Se光电材料的制备和用途。所述的Cu2Se光电材料的制备方法，其特征在于，包括将含有铜源和硒源的混合溶液在170℃‑180℃下反应一段时间，冷却，分离所得沉淀，洗涤，干燥，得到Cu2Se光电材料；其中，所述的硒源为Na2SeO3。本发明合成的Cu2Se光电材料对光照有较灵敏的反应，能用作光电转换材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu2se 光电 材料 制备 用途 | ||
【主权项】：
一种Cu2Se光电材料的制备方法，其特征在于，包括：将含有铜源和硒源的混合溶液在170℃‑180℃下反应12‑13h，冷却，分离所得沉淀，洗涤，干燥，得到Cu2Se光电材料；其中，所述的硒源为Na2SeO3；所述的含有铜源和硒源的混合溶液的制备方法包括：将0.25‑0.3mol/L的CuSO4溶液与0.25‑0.3mol/L硼氢化钠按照体积比为1：1‑1.1混合，搅拌，逐滴加入NaOH溶液将pH值调节为12‑13，加入0.13‑0.15mol/L Na2SeO3溶液，所述的CuSO4溶液中含有的CuSO4和Na2SeO3溶液中含有的Na2SeO3的摩尔比为1：0.5‑0.6，搅拌，得到含有铜源和硒源的混合溶液；所述的Cu2Se光电材料具有堆叠的片状结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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