[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201610664323.X | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107731890A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底上形成有凸起的第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部中形成有P型阱区，第二鳍部中形成有N型阱区，第一鳍部和第二鳍部之间具有第一沟槽，第一沟槽暴露出第一鳍部和第二鳍部的侧壁，第一鳍部的远离第一沟槽的一侧具有第二沟槽，第二鳍部远离第一沟槽的一侧具有第三沟槽；在第一沟槽和第二沟槽暴露的第一鳍部的侧壁表面形成第一掺杂区；在第一沟槽和第三沟槽暴露的第二鳍部的侧壁表面形成第二掺杂区；在形成第一掺杂区和第二掺杂区后，在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中填充隔离材料，形成浅沟槽隔离结构。本发明方法形成的晶体管防止漏电流的产生和短沟道效应的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸起的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部中形成有P型阱区，第二鳍部中形成有N型阱区，第一鳍部和第二鳍部之间具有第一沟槽，所述第一沟槽暴露出第一鳍部和第二鳍部的侧壁，第一鳍部的远离第一沟槽的一侧具有第二沟槽，第二鳍部远离第一沟槽的一侧具有第三沟槽；在第一沟槽和第二沟槽暴露的第一鳍部的侧壁表面形成第一掺杂区，所述第一掺杂区用于防止P型阱区中的杂质离子向后续形成的浅沟槽隔离结构中扩散；在第一沟槽和第三沟槽暴露的第二鳍部的侧壁表面形成第二掺杂区，所述第二掺杂区用于防止后续在N型阱区中形成的源漏区中的杂质离子沿着第二鳍部的侧壁向沟道区扩散以及向后续形成的浅沟槽隔离结构中扩散；在形成第一掺杂区和第二掺杂区后，在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中填充隔离材料，形成浅沟槽隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610664323.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
