[发明专利]一种低温漂的全MOSFET基准电压源有效
| 申请号： | 201610664375.7 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106249799B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王辉;王松林;韩唐 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 田文英,王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路三部分。正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接，零极点补偿电路的输出端经电阻连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。本发明能够简化电路结构，提高电路工作频率，降低基准电压温度系数，使得基准电压在很宽的温度范围内保持稳定的输出，适用于大多数需要基准电压源的模拟和数字电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 mosfet 基准 电压 | ||
【主权项】：
一种低温漂的全MOSFET基准电压源，包括正温度系数电压产生电路、核心电路、零极点补偿电路，其特征在于，所述的正温度系数电压产生电路包括两个P型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管PMOSFET(8，9)、两个增强型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(2，7)、两个耗尽型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(3，5)，正温度系数电压产生电路的输出端与核心电路的输入端连接；所述核心电路包括两个P型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管PMOSFET(10，11)、两个增强型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(1，4)，核心电路的输入端与正温度系数电压产生电路的输出端连接，核心电路的输出端与零极点补偿电路的输入端连接；所述零极点补偿电路包括一个增强型N型金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管NMOSFET(6)、两个电容C1与C2、三个电阻R1、R2与R3，零极点补偿电路的输出端经电阻R2连接至核心电路，为核心电路提供偏置电压。
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