[发明专利]薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201610665688.4 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106206319A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 牛菁;张方振;孙双 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管和显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的有源层、栅电极以及位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层，能够减少制作显示基板的构图工艺次数，提高对位精度，提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管包括基底，以及设置在所述基底上的有源层、栅电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层，其特征在于，通过一次构图工艺形成所述有源层、栅电极和第一绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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