[发明专利]一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法。该方法包括以下步骤：（1）基底清洗；（2）基底烘干；（3）打印图形设计：设置D、S分别为TFT的漏极和源极，L为TFT的沟道长度，预设L的值为75μm，在所述漏极和源极的两侧分别设置用于搭测量探针的引出电极；（4）打印参数设置：设置打印机的参数为基板温度55℃～65℃，喷头温度55℃～65℃，墨滴间距30～35μm，调节打印机内施加于压电陶瓷之上的电压信号的前两波段的参数Slew Rate和Duration；（5）打印。本发明通过控制打印中的各种参数，包括压电波形参数，形成相应的优化方案，改善了TFT电极打印尤其是源漏电极的打印效果。

主权项

1.一种薄膜晶体管印刷电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）基底清洗：将玻璃基底依次放置于不同的清洗剂中，并采用超声波清洗器分别震荡5~10min；（2）基底烘干：清洗完成后将玻璃基底用氮气枪吹干，用洗片架盛好后放入烧杯中，以锡纸封口，放入干燥箱内进行干燥；（3）打印图形设计：设置D、S分别为TFT的漏极和源极，L为TFT的沟道长度，即漏极到源极之间的距离，预设L的值，在所述漏极和源极的两侧分别设置用于搭测量探针的引出电极；（4）打印参数设置：设置打印机的参数为基板温度55℃～65℃，喷头温度55℃～65℃，墨滴间距30～35μm；调节打印机内施加于压电陶瓷之上的电压信号的前两波段的参数Slew Rate和Duration，保持前两波段相同参数的数值相等，固定一个参数的值，调节另一参数至合适范围；固定Duration为2.688μs，将Slew Rate调节至0.18～0.95V/μs范围内，或者固定Slew Rate为0.65V/μs，将Duration调节至1.472～2.688μs范围内；（5）打印：按照步骤（3）设计好的打印图形、步骤（4）设置的打印参数，用打印机对玻璃基底进行打印。