[发明专利]一种LB量子点薄膜、发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610667105.1 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106340573A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘政;杨一行;曹蔚然;钱磊;向超宇 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LB量子点薄膜、发光二极管及其制备方法，LB量子点薄膜制备方法包括步骤滴加提纯后量子点溶液到水/乙二醇界面，使量子点溶液均匀分散在水/乙二醇界面，待有机溶剂挥发5‑30mins，量子点均匀平铺，控制膜压7.5‑40mN/m，将水/乙二醇下的基底进行疏水化处理，然后使用LB拉膜机提拉，得到单层的LB量子点薄膜；重复上述步骤，得到多层的LB量子点薄膜。本发明LB成膜技术操作稳定方便，可大面积制膜，而且薄膜的厚度精确可控，可实现对LB量子点薄膜层数的控制。将LB量子点薄膜作为量子点发光层的LED器件性能稳定，可以通过调控LB量子点薄膜的厚度来进一步调控LED器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 lb 量子 薄膜 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、将量子点分散于有机溶剂中，然后通过过滤器过滤，得到提纯后的量子点溶液；B、滴加提纯后的量子点溶液到水/乙二醇界面，使量子点溶液均匀分散在水/乙二醇界面，待有机溶剂挥发5‑30mins，量子点均匀平铺，控制膜压7.5‑40mN/m，将水/乙二醇下的基底进行疏水化处理，然后使用LB拉膜机提拉，得到单层的LB量子点薄膜；C、再次滴加提纯后的量子点溶液，重复上述步骤B，得到多层的LB量子点薄膜。
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