[发明专利]半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 201610668424.4 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107026070B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 上野哲嗣;游明华;杨建伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明揭露一种半导体装置的制作方法。提供一两步骤缺陷减少烘烤的方法和结构，其接着是高温磊晶层成长。在各种实施例中，将半导体晶圆载入至处理腔室内。当半导体晶圆载入在处理腔室中时，在第一压力和第一温度下进行第一预磊晶层(Pre‑epitaxial Layer)沉积烘烤制程。在一些实例中，在第一预磊晶层沉积烘烤制程后，在第二压力和第二温度下进行第二预磊晶层沉积烘烤制程。在一些实施例中，第二压力和第一压力不同。例如：在第二预磊晶层沉积烘烤制程后，且当在成长温度时，将前驱物气体导入处理腔室，以沉积磊晶层在半导体晶圆上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包含：/n载入一半导体晶圆至一处理腔室；/n当该半导体晶圆被载入于该处理腔室中时，在一第一压力和一第一温度下进行一第一预磊晶层沉积烘烤制程；/n在该第一预磊晶层沉积烘烤制程后，在一第二压力和一第二温度下进行一第二预磊晶层沉积烘烤制程，其中该第二压力和该第一压力不同；以及/n在该第二预磊晶层沉积烘烤制程后，当在一成长温度下，导入一前驱物气体至该处理腔室内，以沉积一磊晶层在该半导体晶圆上，其中该成长温度与该第一温度和第二温度不同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
