[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610669304.6 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106469749B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 闵宣基;柳庚玟;姜尚求 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种使用混合层间绝缘膜能够调整栅电极和栅极间隔件的轮廓的半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，位于栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，位于基底上，并与栅极间隔件的下部叠置；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并与栅极间隔件的上部叠置，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅电极，位于基底上；栅极间隔件，形成在栅电极的侧壁上并包括上部和下部；下层间绝缘膜，形成在基底上，与栅极间隔件的下部相邻并具有第一应力特性；以及上层间绝缘膜，形成在下层间绝缘膜上，与栅极间隔件的上部相邻并具有第二应力特性，其中，下层间绝缘膜不置于上层间绝缘膜与栅极间隔件的上部之间。
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