[发明专利]共面的金属‑绝缘体‑金属电容结构在审
| 申请号： | 201610669379.4 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106505064A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 徐晨祐;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在衬底上制造金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的方法包括在衬底上方形成图案化的金属层；在图案化的金属层上方形成绝缘层；在绝缘层上方形成第二金属层；去除绝缘层的部分和第二金属层的部分，从而形成由图案化的金属层、绝缘层和第二金属层形成的基本上共面的表面；去除第二金属层的部分和图案化的金属层的部分以从绝缘层形成突出于第一金属层和第二金属层外的鳍；以及在鳍上方形成金属间介电层。本发明实施例涉及共面的金属‑绝缘体‑金属电容结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上方形成第一金属层；在所述第一金属层上方形成绝缘层，其中，所述第一金属层沿着所述绝缘层的第一侧壁设置；沿着所述绝缘层的第二侧壁形成第二金属层，使得所述第一金属层的第一表面与所述第二金属层的第二表面基本上共面，其中，所述绝缘层的所述第二侧壁与所述绝缘层的所述第一侧壁相对；蚀刻所述第一金属层和所述第二金属层以从所述绝缘层形成突出于所述第一金属层和所述第二金属层之外的鳍部件；以及形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔均分别连接至所述第一金属层和所述第二金属层。
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