[发明专利]一种本征薄层异质结HIT低温银浆固化的方法和设备在审
申请号: | 201610669677.3 | 申请日: | 2016-08-12 |
公开(公告)号: | CN107731955A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 李伯平 | 申请(专利权)人: | 南京华伯新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01B13/00 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人: | 马敬,项京 |
地址: | 210061 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种本征薄层异质结HIT低温银浆固化的方法和设备,其中设备包括炉体;红外光谱加热装置,设置于炉体内,用于通过红外光谱加热炉体内的刷有预设厚度银浆的硅片;排气装置,包括进气管、通道壁上设有多个微孔的布气通道和充有气氛气体的送气管;炉体的炉体壁上开设一排风装置安装通道,用于通过排风装置安装通道将排风装置与炉体的内部连通;其中,进气管的一端位于炉体的外侧,进气管的另一端穿设炉体的炉体壁且与布气通道的一端连接,布气通道的另一端与送气管连接,送气管设置于炉体的内部,布气通道的气氛气体将加热的硅片产生的有机气体带出,通过排风装置排出有机气体及气氛气体。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄层 异质结 hit 低温 固化 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种本征薄层异质结HIT低温银浆固化设备,其特征在于,包括:炉体(1);红外光谱加热装置,设置于所述炉体(1)内,用于通过红外光谱加热所述炉体(1)内的刷有预设厚度银浆(17)的硅片(18);排气装置,包括进气管(3)、通道壁上设有多个微孔的布气通道和充有气氛气体的送气管(5);所述炉体(1)的炉体壁上开设一排风装置安装通道(7),用于通过所述排风装置安装通道(7)将排风装置与所述炉体(1)的内部连通;其中,所述进气管(3)的一端位于所述炉体(1)的外侧,所述进气管(3)的另一端穿设所述炉体(1)的炉体壁且与所述布气通道的一端连接,所述布气通道的另一端与所述送气管(5)连接,所述送气管(5)设置于所述炉体(1)的内部,所述布气通道的气氛气体将加热的硅片(18)产生的有机气体带出,通过所述排风装置排出所述有机气体及所述气氛气体。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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