[发明专利]一种非线性晶体硒化镓元器件的制作方法

摘要

一种非线性晶体硒化镓元器件的制作方法，本发明涉及晶体元器件的制作方法。本发明是要解决现有的GaSe晶体透过率低及其在使用时易变形、劈裂的技术问题。本方法：一、将GaSe晶锭表面刻蚀后清洗烘干；二、将晶锭放入小舟中，再把小舟放于石英管中部，在小舟两端放置GaSe多晶粉末；或者在小舟一端放GaSe多晶粉末，另一端放Se；对石英管抽真空后熔封，放入单温区电阻炉中；三、退火；四、将退火后晶锭切割并沿c轴方向修整成GaSe晶体块；五、将GaSe晶体块用胶固定在金属底座的孔洞的位置，套上聚四氟乙烯外套，加上上盖，再用固定螺母将底座与上盖连接起来，得到GaSe元器件，该器件可用于激光器中。

主权项

1.一种非线性晶体GaSe元器件的制作方法，其特征在于该制作方法按以下步骤进行：一、采用体积比HCl：HNO3＝1:(3～3.5)的混酸对GaSe晶锭表面刻蚀1～2分钟，然后用超纯水清洗、烘干；二、将GaSe晶锭放入石英小舟或氮化硼小舟中，再把小舟放于石英管中部；在小舟两端放置GaSe多晶粉末，晶锭与多晶粉末的质量比为10:(1～2)；或在小舟的一端放GaSe多晶粉末，另一端放单质Se，晶锭与多晶粉末的质量比为10:(0.5～1)，晶锭与Se的质量比为10:(0.05～0.1)；然后对石英管抽真空至10‑4～10‑6Pa，用氢氧火焰熔封石英管，放入单温区电阻炉中；三、电阻炉升温至450℃～500℃，保温100h～150h，然后以20℃～25℃/h降温速率降温至室温，得到退火晶锭；四、将退火晶锭沿垂直于c轴方向解离成自然光滑平面，并将此自然光滑平面固定在切割机支架面板上，然后切割成正方形块，最后再沿垂直于c轴方向修整成晶体块；五、准备好底座(7)、上盖(6)、聚四氟乙烯外套(8)和固定螺母(9)，其中底座(7)和上盖(6)的材料为金属，在底座(7)与上盖(6)中间设置孔洞，将GaSe晶体块用胶固定在底座的孔洞的位置，套上聚四氟乙烯外套(8)，加上上盖(6)，再用固定螺母(9)将底座(7)与上盖(6)连接起来，得到非线性晶体GaSe元器件。