[发明专利]在多层绝缘薄膜上开接触孔的制作方法在审
| 申请号： | 201610670104.2 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106098614A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 孙明剑 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，包括如下步骤：在导线上形成第一绝缘薄膜；通过蚀刻工艺在第一绝缘薄膜中形成第一接触孔，第一接触孔贯穿第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜上形成第二绝缘薄膜，第二绝缘薄膜填入第一接触孔中；通过蚀刻工艺在第二绝缘薄膜中形成第二接触孔，第二接触孔贯穿第二绝缘薄膜；以及在第二绝缘薄膜上形成导电连接层，导电连接层填入第二接触孔中并与导线接触导通。该制作方法，可以有效地避免底切(undercut)问题，且制作工艺简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 绝缘 薄膜 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
一种在多层绝缘膜上开接触孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在导线(10)上形成第一绝缘薄膜(21)，所述导线(10)由导电材料制成；通过蚀刻工艺在所述第一绝缘薄膜(21)中形成第一接触孔(TH11)，所述第一接触孔(TH11)贯穿所述第一绝缘薄膜(21)，以露出所述导线(10)；在所述第一绝缘薄膜(21)上形成第二绝缘薄膜(22)，所述第二绝缘薄膜(22)填入所述第一接触孔(TH11)中；通过蚀刻工艺在所述第二绝缘薄膜(22)中形成第二接触孔(TH12)，所述第二接触孔(TH12)贯穿所述第二绝缘薄膜(22)，以露出所述导线(10)，其中所述第二接触孔(TH12)的尺寸小于所述第一接触孔(TH11)，使得在对所述第二绝缘薄膜(22)进行蚀刻形成所述第二接触孔(TH12)的过程中不会蚀刻到所述第一绝缘薄膜(21)；以及在所述第二绝缘薄膜(22)上形成导电连接层(23)，所述导电连接层(23)填入所述第二接触孔(TH12)中并与所述导线(10)接触导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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