[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201610670772.5 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106128960B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上方形成半导体材料层，并通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管的有源层和漏极图案的图形；对所述漏极图案进行退火，以形成薄膜晶体管漏极的图形。本发明中所提供的薄膜晶体管的制备方法，将漏极与有源层形成在同一层，而漏极与源极分层设置，也即将漏极与阵列基板上的数据线分层设置，从而可以缩小漏极与数据线之间的间距，此时可以有效的改善曝光机的精度对阵列基板上像素分辨率的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 各自 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上方形成半导体材料层，并通过一次构图工艺形成包括薄膜晶体管的有源层和漏极图案的图形；对所述漏极图案进行退火，以形成薄膜晶体管漏极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
