[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610670810.7 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107768442A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，包括由交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成的超结结构；沟道区，缓冲层；漏区由缓冲层底部的半导体衬底组成；源区形成于沟道区表面；在各第二导电类型柱的底部的缓冲层表面形成有第一导电类型注入区，漂移区和沟道区以及第二导电类型柱形成寄生体二极管；第一导电类型注入区用于在寄生体二极管反向偏置时减少对缓冲层的耗尽，从而提高反向恢复的软度因子。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高反向恢复的软度因子以及降低器件的成本和降低器件的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结器件，其特征在于，包括：由交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱组成的超结结构；在各所述第二导电类型柱的顶部形成有第二导电类型掺杂的沟道区，各所述沟道区还延伸到所述第一导电类型柱的顶部；在所述超结结构底部形成有第一导电类型掺杂的缓冲层；所述缓冲层底部为第一导电类型重掺杂的半导体衬底，漏区由所述半导体衬底组成；在各所述沟道区中都形成有由第一导电类型重掺杂区组成的源区；在各所述第二导电类型柱的底部的所述缓冲层表面形成有第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区和顶部对应的所述第二导电类型柱对齐；位于所述沟道区和所述漏区之间的各所述第一导电类型柱以及所述缓冲层作为超结器件的漂移区，第一导电类型掺杂的所述漂移区和第二导电类型掺杂的所述沟道区以及所述第二导电类型柱形成寄生体二极管；所述第一导电类型注入区用于在所述寄生体二极管反向偏置时减少对所述缓冲层的耗尽，从而提高反向恢复的软度因子。
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