[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610670878.5 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106549000A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈威宇;陈宪伟;苏安治;谢正贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上方并且配置为接收凸块的重分布层(RDL)。半导体器件还包括位于RDL上方的聚合物材料，和聚合物材料包括开口以暴露RDL的部分。在半导体器件中，阻挡件覆盖聚合物材料和RD L之间的接合点。本发明涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；重分布层(RDL)，位于所述半导体衬底上方，并且配置为接收凸块；聚合物材料，位于所述RDL上方，其中，所述聚合物材料包括开口以暴露所述RDL的部分；以及阻挡件，覆盖所述聚合物材料和所述RD L之间的接合点。
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