[发明专利]超结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超结器件，至少一个以上的超结单元的P型柱中具有N型电场阻断层，N型电场阻断层将P型柱在纵向上分割成位于电场阻断层顶部和底部的第一和二P型柱；N型电场阻断层用于实现顶部和底部超结结构的分段耗尽；当超结器件的源漏电压小于等于第一电压值时，仅顶部超结结构发生耗尽；当超结器件的源漏电压大于第一电压值时，顶部和底部超结结构都发生耗尽。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高栅漏电容以及栅漏电容的最小值，从而能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰性能以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲，还能增加器件的反向恢复的软度因子，本发明还能使器件的击穿电压得到保持。

主权项

一种超结器件，其特征在于：电荷流动区包括由多个交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；每一所述N型柱和其邻近的所述P型柱组成一个超结单元；至少一个以上的超结单元的所述P型柱中具有N型电场阻断层，所述N型电场阻断层将所述P型柱在纵向上分割成位于所述N型电场阻断层顶部的第一P型柱和位于所述N型电场阻断层底部的第二P型柱；所述第一P型柱和邻接所述N型柱交替排列组成顶部超结结构；所述第二P型柱和邻接所述N型柱交替排列组成底部超结结构；所述N型电场阻断层用于实现所述顶部超结结构和所述底部超结结构的分段耗尽；当超结器件的源漏电压小于等于第一电压值时，仅所述顶部超结结构发生耗尽，电场终止于所述N型电场阻断层中，所述底部超结结构不发生耗尽；当超结器件的源漏电压大于所述第一电压值时，所述顶部超结结构完全耗尽，电场经过所述N型电场阻断层后继续对所述底部超结结构耗尽；所述第一电压值要求大于等于所述超结器件的工作电压以及小于所述超结器件的击穿电压，使所述超结器件在工作时仅发生所述顶部超结结构的耗尽，从而提高栅漏电容，同时利用所述底部超结结构不发生耗尽的特点能在器件反向恢复时提供载流子，从而增加器件的反向恢复的软度因子；所述超结器件的击穿电压由所述顶部超结结构和所述底部超结结构都完全耗尽时形成的耗尽区确定。