[发明专利]存储器设备和电子设备有效
申请号: | 201610671533.1 | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN106057802B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 松林大介 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/1156;H01L27/12;G11C11/404;G11C11/405 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 金红莲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元,它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括:行选择线,电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极;第一列选择线,电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极;以及第二列选择线,电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。 | ||
搜索关键词: | 存储器 设备 电子设备 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:第一线;第二线;第三线;以及第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,该第一场效应晶体管和第二场效应晶体管各自包括第一栅极、第二栅极、源极、漏极和半导体层,其中,所述第一场效应晶体管的所述半导体层设置于所述第一场效应晶体管的所述第一栅极和所述第一场效应晶体管的所述第二栅极之间,所述第二场效应晶体管的所述半导体层设置于所述第二场效应晶体管的所述第一栅极和所述第二场效应晶体管的所述第二栅极之间,所述第一场效应晶体管的所述第一栅极电连接至所述第一线,所述第一场效应晶体管的所述第二栅极电连接至所述第二线,所述第一场效应晶体管的所述源极和所述漏极之一电连接至所述第三线,所述第二场效应晶体管的所述源极和所述漏极之一电连接至所述第三线,且所述第一场效应晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接至所述第二场效应晶体管的所述第二栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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