[发明专利]一种无土栽培胡葱的方法在审
申请号: | 201610671681.3 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN106258893A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 王大志 | 申请(专利权)人: | 柳州市欧亚农业发展有限公司 |
主分类号: | A01G31/00 | 分类号: | A01G31/00;C05G1/00 |
代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司11249 | 代理人: | 高松 |
地址: | 545003 广西壮族自治区柳*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种无土栽培胡葱的方法,包括:1)选取优良品质较好的葱种;2)选取长60cm、高45cm、宽25cm的塑料栽培箱进行栽培3) 每天喷洒20摄氏度温水,每天用胡葱用LED智能照明系统进行照射3‑4h,一周之后移至室外栽培,每天日光照射3‑5h;4)将硝酸钾、硫酸镁、磷酸二氢铵、硫酸亚铁、硝酸钙、EDTA铁、硫酸锰、硫酸锌、硫酸铜和钼酸铵,加水配制成胡葱无土栽培营养液;5)将步骤4)制得的营养液稀释到质量浓度的15%对胡葱苗进行喷洒,持续8‑12d;6)将步骤4)制得的营养液稀释到质量浓度的35%对胡葱苗进行喷洒,持续15‑30d。 | ||
搜索关键词: | 一种 无土栽培 胡葱 方法 | ||
【主权项】:
一种无土栽培胡葱的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)选取优良品质较好的葱种,先用清水清洗干净,再用30摄氏度的淘米水浸泡10‑12h;2)选取长60cm、高45cm、宽25cm的塑料栽培箱进行栽培,先铺上一层基质,然后将浸泡的葱种按照株距3cm、行距8cm的间隔栽入基质栽培槽内,喷洒20摄氏度温水,盖上栽培盒盖,移至培养室内,并在盒盖顶部覆盖潮湿海绵,控制温度在28‑30摄氏度;3) 每天喷洒20摄氏度温水,每天用胡葱用LED智能照明系统进行照射3‑4h,一周之后移至室外栽培,每天日光照射3‑5h;4)将硝酸钾、硫酸镁、磷酸二氢铵、硫酸亚铁、硝酸钙、EDTA铁、硫酸锰、硫酸锌、硫酸铜和钼酸铵,加水配制成胡葱无土栽培营养液;5)将步骤4)制得的营养液稀释到质量浓度的15%对胡葱苗进行喷洒,持续8‑12d;6)将步骤4)制得的营养液稀释到质量浓度的35%对胡葱苗进行喷洒,持续15‑30d。
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