[发明专利]RFLDMOS的钨下沉层的电阻测试结构和方法

摘要

本发明公开了一种RFLDMOS的钨下沉层的电阻测试结构，测试结构一和二，测试结构一中包括两个并排排列的钨下沉层并都通过第一层金属层连接到测试衬垫。测试结构二中包括两个并排排列的钨下沉层，但是仅有一个通过第一层金属层连接到测试衬垫，两个钨下沉层的第一层金属层之间断开从而不连接。测试结构一和二都分别包括两个并连接成开尔文测试结构。第四钨下沉层使测试结构二中的钨下沉层为密集排列，提高测试结构二的电阻测试的准确性。本发明还公开了一种RFLDMOS的钨下沉层的电阻测试方法。本发明能提供钨下沉层的电阻测试的准确性，提高WAT测试成功率。 1

主权项

1.一种RFLDMOS的钨下沉层的电阻测试结构，其特征在于，包括：测试结构一，该测试结构一包括第一钨下沉层和第二钨下沉层，所述第一钨下沉层和所述第二钨下沉层的尺寸相同且都呈条形，所述第一钨下沉层和所述第二钨下沉层呈长度边平行、宽度边对齐的并排排列结构；所述第一钨下沉层和所述第二钨下沉层的顶部都和第一层金属层相接触，所述第一钨下沉层和所述第二钨下沉层的顶部的第一层金属层连接在一起并连接到第一测试衬垫；测试结构二，该测试结构二包括第三钨下沉层和第四钨下沉层，所述第三钨下沉层和所述第四钨下沉层的尺寸都和所述第一钨下沉层的尺寸相同；所述第三钨下沉层和所述第四钨下沉层呈长度边平行、宽度边对齐的并排排列结构；所述第三钨下沉层和所述第四钨下沉层的顶部都和第一层金属层相接触，所述第三钨下沉层的顶部的第一层金属层连接到第二测试衬垫；所述第四钨下沉层的顶部和第一层金属层接触，所述第四钨下沉层的顶部的第一层金属层和所述第三钨下沉层的顶部的第一层金属层之间断开从而不连接；两个所述测试结构一在重掺杂的衬底上组成第一开尔文测试结构，两个所述测试结构一的所述第二钨下沉层间隔有第一宽度的所述衬底且两个所述第二钨下沉层的长度边平行且宽度边对齐，同一个所述测试结构一中的所述第一钨下沉层和所述第二钨下沉层之间间隔有第二宽度的所述衬底；两个所述测试结构二在重掺杂的衬底上组成第二开尔文测试结构，两个所述测试结构二的所述第四钨下沉层间隔小于所述第三钨下沉层的间隔，两个所述测试结构二的所述第三钨下沉层之间间隔有第三宽度的所述衬底且两个所述第三钨下沉层的长度边平行且宽度边对齐，所述第三宽度等于所述第二宽度的2倍加上所述第一宽度；所述第一开尔文测试结构的电阻为所述第一钨下沉层和所述第二钨下沉层的并联电阻的2倍加上所述第一宽度和所述第二宽度的衬底的寄生电阻和；所述第二开尔文测试结构的电阻为所述第三钨下沉层的电阻的两倍加上所述第三宽度的衬底的寄生电阻，RFLDMOS的钨下沉层的电阻为所述第二开尔文测试结构的电阻和所述第一开尔文测试结构的电阻差。