[发明专利]LDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、形成漂移区；步骤二、形成第一场氧化层；步骤三、采用同一光刻工艺同时定义出体区的形成区域以及体区外的漂移区埋层的形成区域；体区外的漂移区埋层位于第一场氧化层的底部；步骤四、进行能穿过第一场氧化层的第一次第二导电类型离子注入并同时形成体区底部的漂移区埋层和体区外的漂移区埋层；步骤五、进行不能穿过第一场氧化层的第二次第二导电类型离子注入并形成体区。本发明不需要额外的光刻工艺来形成漂移区埋层，能减少工艺成本。

主权项

1.一种LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供第二导电类型的半导体衬底，在所述半导体衬底中定义出器件区域并在所述半导体衬底的器件区域的表面中形成第一导电类型的漂移区；步骤二、在所述漂移区的选定区域的表面形成第一场氧化层；步骤三、采用同一光刻工艺同时定义出体区的形成区域以及所述体区外的漂移区埋层的形成区域；所述体区的第二侧和所述第一场氧化层的第一侧平齐，所述体区外的漂移区埋层位于所述第一场氧化层的底部；步骤四、进行第一次第二导电类型离子注入，该第一次第二导电类型离子注入的注入能量要求满足能穿过所述第一场氧化层，所述第一次第二导电类型离子注入同时形成所述体区底部的漂移区埋层和所述体区外的漂移区埋层，所述体区底部的漂移区埋层和所述体区外的漂移区埋层不连接；步骤五、进行第二次第二导电类型离子注入，该第二次第二导电类型离子注入的注入能量要求满足不能穿过所述第一场氧化层，所述第二次第二导电类型离子注入形成所述体区，所述器件区域中的所述体区作为LDMOS的沟道区。