[发明专利]电荷存储型IGBT及其制造方法

摘要

本发明公开了一种电荷存储型IGBT，包括：漂移区，沟道区，电荷存储层和多个沟槽，各沟槽穿过沟道区和电荷存储层进入到漂移区中；在沟槽中形成有栅介质层和多晶硅栅；各多晶硅栅为第二导电类型重掺杂且和电荷存储层的掺杂类型相反，被多晶硅栅侧面覆盖的沟道区表面用于形成沟道；各多晶硅栅的底部段侧面覆盖相邻的电荷存储层，在器件反向偏置时各多晶硅栅的底部段对电荷存储层进行横向耗尽，用以改善电荷存储层的电场均匀性从而减少由电荷存储层的引入而带来的对器件的击穿电压的下降。本发明还公开了一种电荷存储型IGBT的制造方法。本发明能有效增大器件的击穿电压。

主权项

1.一种电荷存储型IGBT，其特征在于，包括：漂移区，由形成于半导体衬底表面的第一导电类型轻掺杂区组成；第二导电类型掺杂的沟道区，形成于所述漂移区表面；在所述漂移区的底部表面形成有由第二导电类重掺杂区组成的集电区；电荷存储层形成于所述漂移区的顶部区域且位于所述漂移区和所述沟道区交界面的底部，所述电荷存储层具有第一导电类型重掺杂；所述电荷存储层用于阻挡第二导电类型载流子从所述漂移区中进入到所述沟道区中；多个沟槽，各所述沟槽穿过所述沟道区和所述电荷存储层且各所述沟槽进入到所述漂移区中；在所述沟槽的侧面形成有栅介质层，在所述沟槽的底部表面形成有底部介质层，多晶硅栅由填充于所述沟槽中的多晶硅组成；各所述多晶硅栅为第二导电类型重掺杂，被各所述多晶硅栅侧面覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；各所述多晶硅栅的底部段侧面覆盖相邻的所述电荷存储层，在器件反向偏置时各所述多晶硅栅的底部段对所述电荷存储层进行横向耗尽，用以改善所述电荷存储层的电场均匀性从而减少由所述电荷存储层的引入而带来的对器件的击穿电压的下降。