[发明专利]一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管

摘要

一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路中的逻辑器件与电路领域。本发明隧穿场效应晶体管在源区顶部通过InN或In_xGa_1‑xN材料形成极化隧穿层，利用InN或In_xGa_1‑xN的极化效应形成极化电场，增强了源区向极化隧穿区的载流子隧穿能力，提高了开态下的隧穿电流；由于关态下外延本征区的导带不变，载流子无法越过势垒漂移扩散至该区域，有效降低了器件的关态电流；外延本征区以及极化隧穿区的厚度都可以做到5nm及以上，有利于工艺的实现。本发明隧穿场效应晶体管在保证低的关态电流的前提下，有效提升了器件的开态电流，且降低了工艺难度。

主权项

1.一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，包括源区、中间本征区、漏区、极化隧穿区、外延本征区、栅氧层、栅和侧墙，所述极化隧穿区形成于源区内、且与外延本征区接触，其远离中间本征区的一侧与栅远离中间本征区的一侧位于同一直线上，用于增强源区载流子向极化隧穿区的隧穿；所述极化隧穿区采用InN、In_xGa_1‑xN中的一种或两种形成，0＜x＜1。