[发明专利]反相时钟产生电路和寄存器有效
| 申请号： | 201610672084.2 | 申请日： | 2016-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN106341104B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈旗;钟建福;曾秋玲;夏禹 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/86;G06F15/76 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 罗振安 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种反相时钟产生电路，其中：第一PMOS管和第二PMOS管的源极与电源相连，第一PMOS管和第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极相连，第三PMOS管的漏极经第一延迟线电路与第三NMOS管的漏极相连；第三PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，第二NMOS管的源极和第一NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极和第三NMOS管的源极接地。第一PMOS管和第一NMOS管的栅极为SI信号的输入端，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极为SE信号的输入端，第三PMOS管和第三NMOS管的栅极为时钟信号的输入端，第三PMOS管的漏极和第一延迟线电路的连接节点为反相时钟产生电路的输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 时钟 产生 电路 寄存器 | ||
【主权项】：
1.一种反相时钟产生电路，其特征在于，所述反相时钟产生电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第一延迟线电路；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极分别与电源相连，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的漏极分别与所述第三PMOS管的源极相连，所述第三PMOS管的漏极经所述第一延迟线电路与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的漏极经所述第一延迟线电路与所述第二NMOS管的漏极相连；或者，所述第三PMOS管的漏极直接与所述第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极分别接地；其中，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管的栅极为扫描输入SI信号的输入端，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管的栅极为扫描使能SE信号的输入端，所述第三PMOS管和所述第三NMOS管的栅极为时钟信号的输入端，所述第三PMOS管的漏极和所述第一延迟线电路的连接节点为所述反相时钟产生电路的输出端。
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