[发明专利]一种具有温度稳定性的电流传感器及其测量方法有效

专利信息
申请号: 201610673397.X 申请日: 2016-08-14
公开(公告)号: CN106405189B 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 杨晓光;李丛丛;朱波;高丽敬;金双双 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: G01R15/18 分类号: G01R15/18;G01R19/00
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英;付长杰
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明一种具有温度稳定性的电流传感器及其测量方法,其特征在于该电流传感器包括传感器检测探头、激磁电路模块和检测电路模块;所述传感器检测探头包括环形磁芯,在环形磁芯上缠绕激磁绕组和次级绕组;所述激磁电路模块包括电压跟随器、双限电压比较器、MOSFET驱动芯片和半桥励磁电路,半桥励磁电路包括上下两个MOSFET器件、两个电容器和直流电源,具体连接关系是:MOSFET驱动芯片的高低输入端与双限电压比较器的输出端连接,MOSFET驱动芯片的高低输出端与半桥励磁电路中的上下两个MOSFET器件的驱动端相连;双限电压比较器的输入端与电压跟随器的输出端连接;半桥励磁电路中两个电容器的中端与激磁绕组的一端连接。
搜索关键词: 一种 具有 温度 稳定性 电流传感器 及其 测量方法
【主权项】:
1.一种具有温度稳定性的电流传感器,其特征在于该电流传感器包括传感器检测探头、激磁电路模块和检测电路模块;所述传感器检测探头包括环形磁芯,在环形磁芯上缠绕激磁绕组和次级绕组;所述激磁电路模块包括电压跟随器、双限电压比较器、MOSFET驱动芯片和半桥励磁电路,半桥励磁电路包括上下两个MOSFET器件、两个电容器和直流电源,具体连接关系是:MOSFET驱动芯片的高低输入端与双限电压比较器的输出端连接,MOSFET驱动芯片的高低输出端与半桥励磁电路中的上下两个MOSFET器件的驱动端相连;双限电压比较器的输入端与电压跟随器的输出端连接;半桥励磁电路中两个电容器的连接的公共端与激磁绕组的一端连接;所述检测电路模块包括直流和低频电流采样电阻、高频电流采样电阻、高通滤波器、低通滤波器、预估采样电阻、工作模式选择单元和显示器,所述预估采样电阻直接与被测电流并联,估测被测电流的大概值,预估采样电阻与工作模式选择单元连接;直流和低频电流采样电阻的一端与激磁绕组的另一端、电压跟随器的输入端以及低通滤波器的输入端连接,直流和低频电流采样电阻的另一端与半桥励磁电路中上下两个MOSFET器件的连接的公共端以及参考接地端连接,所述两个MOSFET器件的连接的公共端为一个MOSFET器件的源极和另一个MOSFET器件的漏极连接构成;低通滤波器的输出端与工作模式选择单元中的DSP输入端相连;高频电流采样电阻一端与高通滤波器的输入端和次级绕组的一端相连,高频电流采样电阻的另一端和次级绕组的另一端都与参考接地端连接;高通滤波器的输出端与工作模式选择单元中的DSP输入端相连;工作模式选择单元中的DSP输出端与显示器的输入相连。
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