[发明专利]一种提高电化学气体插层剥离转移石墨烯速度的方法在审
申请号: | 201610673725.6 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN107761070A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 马来鹏;任文才;董世超;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/01;C23C16/56 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及石墨烯领域,具体为一种提高电化学气体插层剥离转移石墨烯速度的方法。首先采用化学气相沉积法在初始基体上生长石墨烯;然后在石墨烯表面形成一层改性介质来提高石墨烯与电解液之间的润湿性,再将转移介质层覆盖在改性介质表面;最后采用电化学气体插层法将石墨烯从初始基体表面剥离,并转移到目标基体表面。本发明通过改善石墨烯与电解液之间润湿性,提高电化学气体插层剥离法的剥离速度。采用改性介质与石墨烯相互作用,改善了电解液在石墨烯表面的浸润性,加快了电解液和气泡在石墨烯与生长基体界面间的扩散,提升了电化学气体插层剥离石墨烯的速度,提高了石墨烯的转移效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 电化学 气体 剥离 转移 石墨 速度 方法 | ||
【主权项】:
一种提高电化学气体插层剥离转移石墨烯速度的方法,其特征在于,首先采用化学气相沉积法在初始基体上生长石墨烯;然后在石墨烯表面形成一层改性介质来提高石墨烯与电解液之间的润湿性,再将转移介质层覆盖在改性介质表面;最后采用电化学气体插层法将石墨烯从初始基体表面剥离,并转移到目标基体表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的