[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件，其包括P型外延层、N阱、P阱、第一N型漂移区、第一P型层、第二N型漂移区、第二P型层、栅氧化层、栅极多晶硅；P阱、第二N型漂移区、第一N型漂移区、N阱从左到右依次邻接形成在P型外延层的上部；第二N型漂移区较第一N型漂移区深度浅；第二P型层邻接于第二N型漂移区下面；第一P型层邻接于第一N型漂移区下面；第二P型层较第一P型层深度浅；第二P型层较第一P型层掺杂浓度高。本发明还公开了该种LDMOS器件的制造方法。本发明能使LDMOS器件不仅有较低的导通电阻，而且能同时满足关态击穿电压和开态击穿电压。

主权项

1.一种LDMOS器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.利用有源区光刻，在硅片的P型外延层打开场氧区，刻蚀形成超浅沟槽；二.利用超浅槽刻蚀的掩模版对超浅沟槽底部下方的P型外延层进行离子注入形成第一N型漂移区和第一P型层，第一P型层邻接于第一N型漂移区；三.光刻打开沟槽隔离区，刻蚀形成隔离沟槽，隔离沟槽较超浅沟槽深；四.在硅片上淀积氧化物并研磨之后在超浅沟槽形成场氧区场氧化物，在隔离沟槽形成沟槽隔离区隔离氧化物；五.光刻打开阱注入区域，在P型外延层分别注入N型离子和P型离子形成N阱和P阱；N阱位于第一N型漂移区右侧，P阱位于第一N型漂移区左侧并且同第一N型漂移区有间隔；六.通过光刻和离子注入，在P阱同第一N型漂移区之间的P型外延层形成第二N型漂移区和第二P型层，第二P型层邻接于第二N型漂移区下方；第二P型层较第一P型层的深度浅，第二P型层较第一P型层的P型掺杂浓度高；七.在硅片上生长栅氧化层，淀积多晶硅，然后进行多晶硅栅刻蚀，形成栅极多晶硅，栅极多晶硅位于第一N型漂移区左部、P阱右部及第二N型漂移区上方；八.进行后续工艺，完成LDMOS的制作。