[发明专利]硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途在审
申请号: | 201610675515.0 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN107761170A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 潘世烈;韩国鹏;王颖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
主分类号: | C30B29/46 | 分类号: | C30B29/46;C30B7/02;C30B7/14;G02F1/35;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39 |
代理公司: | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所65106 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途,该晶体的分子式为LiNaSO4,分子量为125.986,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为a=7.600(4) Å,b=7.600(4) Å,c=9.827(10) Å,V=491.5(6) Å3。采用恒温蒸发法生长晶体。该晶体的非线性光学效应约为0.3倍KDP(KH2PO4),光学带隙宽度为7.09eV,紫外截止边为175 nm,对(深)紫外、可见及近红外波段具有较高的透过率,适合制作非线性光学器件。 | ||
搜索关键词: | 硫酸 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
一种硫酸锂钠非线性光学晶体,其特征在于该晶体的分子式为LiNaSO4,分子量为125.986,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为:a = 7.600(4) Å,b = 7.600(4) Å , c = 9.827(10) Å,V = 491.5(6) Å3,采用恒温蒸发法生长晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院新疆理化技术研究所,未经中国科学院新疆理化技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610675515.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。