[发明专利]硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201610675515.0 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN107761170A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 潘世烈;韩国鹏;王颖 申请(专利权)人: 中国科学院新疆理化技术研究所
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B7/02;C30B7/14;G02F1/35;G02F1/355;G02F1/37;G02F1/39
代理公司: 乌鲁木齐中科新兴专利事务所65106 代理人: 张莉
地址: 830011 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及一种硫酸锂钠非线性光学晶体及其制备方法和用途,该晶体的分子式为LiNaSO4,分子量为125.986,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为a=7.600(4) Å,b=7.600(4) Å,c=9.827(10) Å,V=491.5(6) Å3。采用恒温蒸发法生长晶体。该晶体的非线性光学效应约为0.3倍KDP(KH2PO4),光学带隙宽度为7.09eV,紫外截止边为175 nm,对(深)紫外、可见及近红外波段具有较高的透过率,适合制作非线性光学器件。
搜索关键词: 硫酸 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 用途
【主权项】:
一种硫酸锂钠非线性光学晶体,其特征在于该晶体的分子式为LiNaSO4,分子量为125.986,属于三方晶系,空间群为P31c,晶胞参数为:a = 7.600(4) Å,b = 7.600(4) Å , c = 9.827(10) Å,V = 491.5(6) Å3,采用恒温蒸发法生长晶体。
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