[发明专利]加工载体的方法和转移石墨烯层的方法有效
| 申请号： | 201610675739.1 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN106469644B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 马西亚斯·凯尼格;京特·鲁尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及加工载体的方法和转移石墨烯层的方法。根据多个不同的实施方案，一种用于加工载体的方法可以包括：在载体上方形成层结构，该层结构包括支承层和在支承层上方的二维层，其中该层结构具有使载体的一部分露出的至少一个开口；形成辅助层结构，其中辅助层结构至少部分地覆盖层结构并且至少部分地填充至少一个开口；以及移除层结构的支承层。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 载体 方法 转移 石墨 | ||
【主权项】：
1.一种用于加工载体的方法，所述方法包括：/n在所述载体上方形成层结构，所述层结构包括支承层和在所述支承层上方的二维层，其中所述层结构具有使所述载体的一部分露出的至少一个开口；/n形成辅助层结构，其中所述辅助层结构至少部分地覆盖所述层结构并且至少部分地填充所述至少一个开口；以及/n移除所述层结构的所述支承层。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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