[发明专利]一种低功耗CMOS基准源电路在审
| 申请号： | 201610676513.3 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106020323A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 明鑫;马亚东;徐俊;汪饶;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种低功耗CMOS基准源电路，属于模拟电路技术领域。包括第一耗尽型MOS管M1A、第二耗尽型MOS管M1B、第一增强型MOS管M2A、第二增强型MOS管、第一电阻R3、第一电容C1、第二电容C2和由第三增强型MOS管M3、第一负载电阻R1与第二负载电阻R2构成作为基准电压输出级的源极跟随器；M1A源极接M1B漏极，M2A源极接M2B漏极，M2B源极接地；M1B源极接M2A漏极，其连接点接M1A、M1B和M3的栅极，同时通过R3和C1的串联结构与地相连；M3源极通过R1和R2的串联结构后接地，M2A和M2B的栅极互连后连接R1和R2的串联点；M3源极输出基准电压VREF，C2并联在基准电压输出端和地之间；M1A和M3的漏极接VDD。本发明不需要二极管或BJT晶体管，具有电路结构简单、基准电压与温度无关和低功耗的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 cmos 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种低功耗CMOS基准源电路，包括：第一耗尽型NMOS管(M1A)、第二耗尽型NMOS管(M1B)、第一增强型NMOS管(M2A)、第二增强型NMOS管(M2B)、第一电阻(R3)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和由第三增强型NMOS管(M3)、第一负载电阻(R1)和第二负载电阻(R2)构成的作为基准电压输出级的源极跟随器；第一耗尽型NMOS管(M1A)与第二耗尽型NMOS管(M1B)串联，第一增强型NMOS管(M2A)与第二增强型NMOS管(M2B)串联，第一耗尽型NMOS管(M1A)的源极接第二耗尽型NMOS管(M1B)的漏极，第一增强型NMOS管(M2A)的源极接第二增强型NMOS管(M2B)的漏极，第二增强型NMOS管(M2B)的源极接地；第二耗尽型NMOS管(M1B)的源极接第一增强型NMOS管(M2A)的漏极，其连接点接第一耗尽型NMOS管(M1A)的栅极、第二耗尽型NMOS管(M1B)的栅极和第三增强型NMOS管(M3)的栅极，同时通过第一电阻(R3)和第一电容(C1)的串联结构与地(GND)相连；第三增强型NMOS管(M3)的源极通过第一负载电阻(R1)和第二负载电阻(R2)的串联结构后接地，第一增强型NMOS管(M2A)和第二增强型NMOS管(M2B)的栅极互连后连接第一负载电阻(R1)和第二负载电阻(R2)的串联点；第三增强型NMOS管(M3)的源极作为基准电压输出端输出基准电压(VREF)，第二电容(C2)接在基准电压输出端和地之间；第一耗尽型NMOS管(M1A)和第三增强型NMOS管(M3)的漏极接电源电压(VDD)。
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