[发明专利]PIN二极管的制作方法与PIN二极管在审
| 申请号： | 201610676716.2 | 申请日： | 2016-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107768245A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李理;赵圣哲;马万里;姚雪霞 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张莲莲,刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种PIN二极管的制作方法与PIN二极管，制作方法包括在N型基底中形成至少两个P型离子区域；在所述N型基底中形成P型注入区，所述P型注入区位于各所述P型离子区域上方，且接触各所述P型离子区域；在所述P型注入区上形成作为一侧电极的第一金属层，并在所述N型基底远离所述P型注入区的一侧上形成作为另一侧电极的第二金属层。根据本发明，能够提高PIN二极管的耐压性。 | ||
| 搜索关键词： | pin 二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种PIN二极管的制作方法，其特征在于，包括：在N型基底中形成至少两个P型离子区域；在所述N型基底中形成P型注入区，所述P型注入区位于各所述P型离子区域上方，且接触各所述P型离子区域；在所述P型注入区上形成作为一侧电极的第一金属层，并在所述N型基底远离所述P型注入区的一侧形成作为另一侧电极的第二金属层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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