[发明专利]三维集成电路结构在审
申请号: | 201610676726.6 | 申请日: | 2016-08-17 |
公开(公告)号: | CN106558577A | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 袁景滨;余振华;陈明发;叶松峯 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;G02B6/122 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供了三维集成电路(3DIC)结构,3DIC结构包括第一IC芯片和第二IC芯片以及连接器。第一IC芯片包括第一金属化结构、第一光学有源组件和第一光子互连层。第二IC芯片包括第二金属化结构、第二光学有源组件和第二光子互连层。第一IC芯片和第二IC芯片通过第一光子互连层和第二光子互连层接合。第一光学有源组件位于第一光子互连层和第一金属化结构之间。第一光学有源组件和第一金属化结构彼此接合。第二光学有源组件位于第二光子互连层和第二金属化结构之间。第二光学有源组件和第二金属化结构彼此接合。 | ||
搜索关键词: | 三维集成电路 结构 | ||
【主权项】:
一种3D集成电路结构,包括:第一IC芯片,包括第一金属化结构、第一光学有源组件和第一光子互连层;以及第二IC芯片,包括第二金属化结构、第二光学有源组件和第二光子互连层,其中,所述第一IC芯片和所述第二IC芯片通过所述第一光子互连层和所述第二光子互连层接合,其中,所述第一光学有源组件位于所述第一光子互连层和所述第一金属化结构之间,以及其中,所述第二光学有源组件位于所述第二光子互连层和所述第二金属化结构之间。
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