[发明专利]一种功率器件的结终端结构有效
| 申请号： | 201610676734.0 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106098758B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 任敏;李爽;李家驹;罗蕾;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术，特别涉及一种功率器件结终端结构。该结构包括位于N型漂移区2中的P型场限环3，及位于N型漂移区2上方的氧化层中的数个多晶硅岛。通过非均匀存储于多晶硅岛内的电荷调制半导体表面的电场分布，使表面电场分布更均匀，提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件的结终端结构，包括N型重掺杂单晶硅衬底(1)、位于N型重掺杂单晶硅衬底(1)下表面的漏极电极(7)、位于N型重掺杂单晶硅衬底(1)上的N型漂移区(2)；所述N型漂移区(2)上层两侧分别具有P型场限环(3)和N+截止环(9)；所述终端结构表面是氧化层(8)，所述氧化层(8)内具有多个长度及厚度相等的多晶硅岛；所述多晶硅岛位于P型场限环(3)和N+截止环(9)之间并靠近P型场限环(3)一侧，与P型场限环(3)相邻的多晶硅岛边界不与P型场限环(3)重叠；所述多晶硅岛内存储有负电荷，且存储的负电荷密度满足条件：沿P型场限环(3)到N+截止环(9)的方向，从与P型场限环(3)相邻的多晶硅岛开始，多晶硅岛内的负电荷密度依次递减。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610676734.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于物联网技术的智能车辆管理系统
- 下一篇：输入组件及终端
- 同类专利
- 专利分类
