[发明专利]一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610676896.4 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN106098875B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 云峰;田振寰;李虞锋 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/24;H01L33/32
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王霞
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基半导体发光二极管及其制备方法,属于半导体技术领域,该方法主要包括激光打孔尺寸的选择,金字塔的生长,器件的制作三部分。本发明提出了一种通过调控金字塔塔顶面积和塔面面积比的方式,调控短波长和长波长的光强比;还可通过缩小孔间距实现两个金字塔的相连,从而进一步调控塔顶对应的波长。多波长的结构为实现高显指的白光LED提供了可能性。本发明的工艺简单,对波长的调控可通过简单的更改打孔尺寸以及打孔间距实现。除此之外,本发明采用的是分立的金字塔结构,也可用于实现可弯折的柔性白光LED。
搜索关键词: 一种 荧光粉 白光 金字塔 阵列 氮化 半导体 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种无荧光粉的白光金字塔阵列氮化镓基柔性半导体发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:用激光打孔的方式得到图形化蓝宝石衬底,用于生长金字塔阵列;其中,通过调控孔径大小和外延层厚度的关系,改变金字塔形貌;步骤2:在图形化的衬底上生长金字塔阵列;步骤3:用绝缘材料填充金字塔之间的空隙,刻蚀并露出金字塔的顶端;步骤4:p面透明导电极制作;步骤5:衬底转移及激光剥离;步骤6:利用n面金字塔的凸起,局域性刻蚀u‑GaN;步骤7:在n面上制作欧姆接触以及金属电极。
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