[发明专利]半导体装置及其制造方法、电子设备以及移动体有效

专利信息
申请号: 201610676908.3 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN106469659B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 桑沢和伸;新田博明;远藤刚廣;関泽充生 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L23/13
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;苏萌萌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种即使在元件上形成衬垫也能够防止元件的破坏的半导体装置。半导体装置包括:元件,其被配置于基板上;第一绝缘层;第一衬垫(a)以及第二衬垫(b),其被配置于第一绝缘层上,且位于元件的上方;第二绝缘层,其被配置于第一绝缘层上、所述第一以及第二衬垫的各自的侧面上及上表面上,第二绝缘层具有位于所述第一以及第二衬垫的各自的上表面上的开口部。所述第一以及第二衬垫的各自的厚度为2μm以上,所述第二绝缘层的厚度为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下,所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一以及第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 电子设备 以及 移动
【主权项】:
一种半导体装置,包括:基板;元件,其被配置于所述基板上;第一绝缘层,其被配置于所述元件以及所述基板上;第一衬垫,其被配置于所述第一绝缘层上,且位于所述元件的上方;第二衬垫,其被配置于所述第一绝缘层上;第二绝缘层,其被配置于所述第一绝缘层上、所述第一衬垫的侧面上及上表面上、以及所述第二衬垫的侧面上及上表面上,所述第二绝缘层具有位于所述第一衬垫的上表面上的开口部以及位于所述第二衬垫的上表面上的开口部,所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度为2μm以上,所述第二绝缘层的厚度为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的2/5倍以下,所述第一衬垫与所述第二衬垫之间的距离为所述第一衬垫以及所述第二衬垫的各自的厚度的4倍以上。
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