[发明专利]一种硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法

摘要

本发明公开了一种硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法，该方法包括以下工艺流程：入料→单边刻蚀→水洗→吹干→出料→上料→刻蚀→水洗→HF酸洗→水洗→下料。本发明硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法中的单边刻蚀工序的四甲基氢氧化铵可腐蚀硅晶片下表面的PSG层，使其表面粗糙度达到小于50nm，之后进入HF酸洗工序，使硅晶片的整个表层的光洁度进一步提高，利于硅晶片表层减少太阳光线的散射，使硅晶片的光电转换率达到14％左右。

主权项

1.一种硅晶片的单面去PSG层及抛光的制备方法，其特征在于，该方法包括以下工艺流程：步骤1入料，在入料段安装水膜喷淋装置、水膜减薄滚轮载着硅晶片穿过水膜喷淋装置后其上表面有一层水膜均匀覆盖；步骤2单边刻蚀，硅晶片进入单面去PSG槽且上表面不接触槽内药液、同时泵体对配完药液浓度的槽体进行循环搅拌、并将药液送入单面去PSG槽、单面去PSG槽内的温度与液位条件满足后、PLC发出可工作指令、硅晶片通过滚轮带液对其下表面进行反应；步骤3水洗，硅晶片通过药液刻蚀完毕后由水膜减薄滚轮载着移出单面去PSG槽且再次穿过水膜喷淋装置进行全方位喷淋冲洗；步骤4吹干，硅晶片冲洗完毕后由风管进行14s的强风喷吹；步骤5出料，硅晶片吹干后移出完成单面去PSG层工序；步骤6上料，硅晶片接着转入下一工序；步骤7刻蚀，硅晶片完全浸泡在有药液且温度为65℃的槽体中、硅晶片全部浸泡在槽体后不停顿、然后直接夹出硅晶片；步骤8水洗，夹出硅晶片完全浸入水槽内并捞出；步骤9HF酸洗，硅晶片从水槽中捞出后再全部浸泡在温度为25～35℃的HF中也不停顿、硅晶片全部浸泡在HF后直接夹出；步骤10水洗，夹出硅晶片再次完全浸入水槽内并捞出；步骤11下料，硅晶片清洗完毕后取出并完成抛光工序。