[发明专利]一种沟槽型VDMOS

摘要

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种沟槽型VDMOS器件。本发明主要在体内沟槽中有二氧化硅层包裹的多晶硅柱，多晶硅柱中存储着均匀负电荷。多晶硅柱的形状为上宽下窄，其与硅片间的二氧化硅的厚度由上至下增加。器件反向阻断时，N‑型漂移区与多晶硅柱内的负电荷之间产生横向电场，辅助耗尽漂移区。由于N‑型漂移区的电势由下至上逐渐降低，而多晶硅柱侧壁的二氧化硅的厚度由上至下增加，使漂移区的横向电场分布更均匀，从而纵向电场更接近矩形分布，提高器件的反向阻断电压。同时，由于没有采用与源电极相连的体场板结构，本发明中的栅漏电容Cds较低。

主权项

1.一种沟槽型VDMOS，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(11)、N+衬底(1)、N‑漂移区(2)和金属化源极(4)；所述N‑漂移区(2)中具有体内沟槽(3)、P型掺杂区(5)、N型重掺杂区(6)、P型重掺杂区(7)和沟槽(8)，所述P型掺杂区(5)位于两侧的体内沟槽(3)之间，且P型掺杂区(5)的侧面与体内沟槽(3)的侧面接触；所述N型重掺杂区(6)位于P型掺杂区(5)的上表面，N型重掺杂区(6)的上表面与金属化源极(4)的下表面接触；所述P型重掺杂区(7)位于体内沟槽(3)与N型重掺杂区(6)之间并分别与体内沟槽(3)和N型重掺杂区(6)接触；所述体内沟槽(3)的上表面与金属化源极(4)的下表面接触；所述沟槽(8)的上表面与金属化源极(4)的下表面接触，沟槽(8)的下端沿垂直方向依次贯穿N型重掺杂区(6)和P型重掺杂区(7)并延伸至N‑漂移区(2)中，所述沟槽(8)中填充有第一二氧化硅层(9)，在第一二氧化硅层(9)中具有多晶硅(10)；其特征在于，所述体内沟槽(3)中填充有第二二氧化硅层(12)，所述第二二氧化硅层(12)中具有多晶硅柱(13)，所述多晶硅柱(13)的上表面不高于P型掺杂区(5)的下表面，所述多晶硅柱(13)中均匀存储有负电荷，所述多晶硅柱(13)与N‑漂移区(2)之间的二氧化硅(12)的厚度由上至下逐渐增加。