[发明专利]一种原子层沉积装置及方法有效
申请号: | 201610679356.1 | 申请日: | 2016-08-17 |
公开(公告)号: | CN106048561B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 沐俊应 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种原子层沉积装置及方法,所述原子层沉积装置包括:供气机构;排气机构;沉积基板与基板固定座;其中,所述进气机构的进气口与所述排气机构的出气口交替排列形成阵列平面,所述阵列平面与所述沉积基板的沉积表面相对,所述矩阵的表面面积大于所述沉积基板的沉积面积,且所述进气口对所述沉积基板供应所述前驱气体或所述净化气体时,所述前驱气体或所述净化气体可覆盖所述沉积基板的沉积面积。本发明可以大大缩短原子层沉积的周期,有利于大尺寸基板的生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积装置,其特征在于,包括:进气机构,具有多个进气口,用于供应前驱气体及净化气体;排气机构,具有多个出气口,用于将中间副产物排出;沉积基板,用于沉积原子层薄膜;基板固定座,用于固定所述沉积基板;其中,所述进气机构的多个进气口与所述排气机构的多个出气口交替排列形成阵列平面,且每一所述出气口被所述多个进气口围绕,所述阵列平面与所述沉积基板的沉积表面相对,所述阵列平面的表面面积大于所述沉积基板的沉积面积,且所述进气口对所述沉积基板供应所述前驱气体或所述净化气体时,所述前驱气体或所述净化气体可覆盖所述沉积基板的沉积面积;所述进气机构的多个进气口包括多个前驱气体进气口与多个净化气体进气口,所述多个前驱气体进气口包括至少两种不同类型的所述前驱气体进气口,不同类型的所述前驱气体进气口供应不同的前驱气体,所述净化气体进气口供应所述净化气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的