[发明专利]单级负氧离子发生器在审
| 申请号： | 201610679584.9 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106058647A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 李团山;许加元;王书学;朱星富 | 申请（专利权）人： | 浙江亿东环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01T23/00 | 分类号： | H01T23/00 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 林君勇 |
| 地址： | 322100 浙江省金华市东*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单级负氧离子发生器，包括高压瓷片电容(Cl、C2、C4、C5),Y电容(C3)，高压二极管(Dl、D2、D3、D4)，二极管(D5、D6)可控硅（Q1），第一插件电阻(Rl、R2)，第二插件电阻(R3)，第三插件电阻(R4)，第四插件电阻(R5)，高压包(Tl)、倍压电路(Jl、J2、J3),220V通过J3‑R3‑C3‑Tl‑D6‑J4给Y电容(C3)充电，高压包(Tl)通过D6‑R4／／R5‑Ql栅级使Ql导通，通过C3再到T1‑(2)脚放电，形成感应电压，使T1‑(3)脚输出5000V的电压，通过高压瓷片电容(C4)、高压二极管(Dl)、高压二极管(D3)、高压瓷片电容(Cl)、高压瓷片电容(C5)、高压二极管(D2)、高压二极管(D4)、高压瓷片电容(C2)、第一插件电阻(R2)、倍压电路(J2)，得到18000V‑20000V的负电压，通过黄金针放电，产生负离子。 | ||
| 搜索关键词： | 单级负氧 离子 发生器 | ||
【主权项】：
单级负氧离子发生器，其特征在于，包括高压瓷片电容(Cl、C2、C4、C5),Y电容(C3)，高压二极管(Dl、D2、D3、D4)，二极管(D5、D6)可控硅（Q1），第一插件电阻(Rl、R2)，第二插件电阻(R3)，第三插件电阻(R4)，第四插件电阻(R5)，高压包(Tl)、倍压电路(Jl、 J2、J3), 220V通过J3‑R3‑C3‑Tl‑D6‑J4给Y电容(C3)充电，高压包(Tl)通过D6‑R4／／R5‑Ql栅级使Ql导通，通过C3再到T1‑(2)脚放电，形成感应电压，使T1‑(3)脚输出5000V的电压，通过高压瓷片电容(C4)、高压二极管(Dl)、高压二极管(D3)、高压瓷片电容(Cl)、高压瓷片电容(C5)、高压二极管(D2)、高压二极管(D4)、高压瓷片电容(C2)、第一插件电阻(R2)、倍压电路(J2)，得到18000V‑20000V的负电压，通过黄金针放电，产生负离子。
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