[发明专利]石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法在审
| 申请号： | 201610679703.0 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107765511A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 方小红;徐一麟;王聪;尤莹;陈小源;万吉祥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/40 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，包括以下步骤1）提供目标结构，在所述目标结构表面制备复合透明导电薄膜，所述复合透明导电薄膜包括石墨烯薄膜及银纳米线薄膜；2）在所述复合透明导电薄膜表面制备图形化光刻胶掩膜层；3）依据所述图形化光刻胶掩膜层刻蚀所述复合透明导电薄膜；4）去除所述图形化光刻胶掩膜层，完成对所述透明导电薄膜的图形化处理。本发明提出了一种图形化的方法，通过表面光刻胶掩模的覆盖实现了等离子气氛与刻蚀液对指定裸露区域的刻蚀，具有较高的图形化精度，避免了其他方法图形化后可能出现的边缘粗糙有毛刺的问题，同时光刻掩膜版设计容易，可根据需要设计各种图形。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 复合 透明 导电 薄膜 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供目标结构，在所述目标结构表面制备复合透明导电薄膜，所述复合透明导电薄膜包括石墨烯薄膜及银纳米线薄膜；2)在所述复合透明导电薄膜表面制备图形化光刻胶掩膜层；3)依据所述图形化光刻胶掩膜层刻蚀所述复合透明导电薄膜；4)去除所述图形化光刻胶掩膜层，完成对所述透明导电薄膜的图形化处理。
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