[发明专利]显示装置用阵列基板制造方法、蚀刻液组合物及蚀刻方法有效

专利信息
申请号: 201610680609.7 申请日: 2016-08-17
公开(公告)号: CN106467969B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 梁圭亨;金童基;金炼卓;权五柄 申请(专利权)人: 东友精细化工有限公司
主分类号: C23F1/18 分类号: C23F1/18;G02F1/1368;H01L27/12
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;金鲜英
地址: 韩国全*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及显示装置用阵列基板的制造方法、铜系金属膜蚀刻液组合物及蚀刻方法,所述铜系金属膜蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢(H2O2)5~30重量%、(B)含氟化合物0.01~3重量%、(C)5‑(碳原子数1~5的烷基)‑1H‑四唑0.01~3重量%、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5~5重量%、(E)硫酸盐化合物0.05~1重量%、(F)多元醇型表面活性剂1~5重量%、及(G)余量的水,所述显示装置用阵列基板的制造方法使用上述蚀刻液组合物。
搜索关键词: 蚀刻液组合物 显示装置 阵列基板 蚀刻 铜系金属膜 多元醇型表面活性剂 制造 硫酸盐化合物 水溶性化合物 烷基 含氟化合物 方法使用 过氧化氢 碳原子数 氮原子 四唑 羧基
【主权项】:
1.一种显示装置用阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:(a)在基板上形成栅电极的步骤、(b)在包含所述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤、(c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤、(d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、以及(e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤,所述(a)步骤或(d)步骤中的至少一个步骤包括:在所述基板上形成铜系金属膜的步骤、以及使用蚀刻液组合物对所形成的所述铜系金属膜进行蚀刻的步骤,所述蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢5~30重量%、(B)含氟化合物0.01~3重量%、(C)5‑(碳原子数1~5的烷基)‑1H‑四唑0.01~3重量%、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5~5重量%、(E)硫酸盐化合物0.05~1重量%、(F)多元醇型表面活性剂1~5重量%、及(G)余量的水,且不包含5‑氨基四唑,蚀刻后的所述铜系金属膜具有40~60°的锥角。
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